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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Mode d'amélioration N 80a 40a MOSE MOSFET MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D À 252b 40V 80A Dispositif DH065N04 Spécification.pdf
SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE 10A 650V DCGT10D65G4 à 220-2L Dcgt10d65g4 À 220-2L 650V 10A Dispositif dcgt10d65g4 spécification.pdf
120A 60V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH065N06 / DH065N06E / DH065N06D / DH065N06P DH065N06 À 220c 60V 120a Appareil + DH065N06 + Spécification + Rev.2.0.pdf
250A 40V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 À 220c 40V 250a Dispositif DH019N04 Spécification.pdf
Diode de barrière SIC SIC SIC 10A 650V Dcd10d65g4 À 252b 650V 10A Dispositif dcd10d65g4 spécification.pdf
8A 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE DCGT08D65G4 TO-220-2L Dcgt08d65g4 À 220-2L 650V 8a Dispositif dcgt08d65g4 spécification.pdf
 SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE 10A 650V DCE10D65G4 À 263 650V 10A Dispositif DCE10D65G4 Spécification.pdf
33A 60V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH240N06LD à-252B DH240N06LD À 252b 60V 33a Spécification DH240N06L REV.2.0.pdf
Diode de barrière SIC SIC 10A 1200V SIC DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116a 68V Mode d'amélioration du canal N MOSFET DH070N06 À 220c 60V 88a Spécification DH070N06 de l'appareil (2) .pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 180A 40V DHS020N04 à 220C DHS020N04 À 220c 40V 180a Dispositif dhs020n04 spécification.pdf
240a 60V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 À 220c 60V 180a Donghai + DHS022N06 & DHS022N06E + Fiche technique + v2.0.pdf
170a 100v Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 À 263 100V 170a Dsg030n10n3 & dse028n10n3_datasheet_v1.0.pdf
160a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET DH020N03P 5X6-8 DH020N03P Dfn5x6 30V 160a Dispositif DH020N03P Spécification.pdf
105a 68V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS055N07 à-220C DHS055N07 À 220c 68v 105a Donghai + dhs055n07 & dhs055n07e + fiche technique + v2.0 .pdf
Mode d'amélioration N-canal 80a 60A Power MOSFET DATD063N06N à-252B Datd063n06n À 252b 60V 80A Appareil + DATD063N06N + SPÉCIFICATION REV.1.0.PDF
310A 20V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 À 220c 20V 310A Dispositif DH009N02 Spécification.pdf
100a 85v Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 À 220c 85v 100A Dispositif DH85N08 Spécification.pdf
Mode d'amélioration N-canal 60a 30a Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D À 252b 30V 60A Dispositif DH081N03 Spécification.pdf
100a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH012N03P DFN5 * 6 Dh012n03p Dfn5x6 30V 100A Dh012n03p_datasheet_v2.0.pdf

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