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Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 112A 85V DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specifiche del dispositivo DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 108A 85V DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 90 V DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120A Specifiche del dispositivo DH90N055R.pdf
F20N50/20N50B
MOSFET N 100 V/5,2 mΩ/95 A DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N da 96 A 100 V DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifiche del dispositivo DSP051N10N Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 10 A 30 V DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Dispositivo DH160P03V Specifiche Rev.1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650 V 50A DGC50F65M2__datasheet.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 220 A 40 V DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Dispositivo DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifiche Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza D2N60 TO-252B in modalità potenziata a canale N da 2 A 600 V D2N60 TO-252B 600 V 2A 英文版D2N60技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V a recupero ultrarapido MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300 V 60A
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 13 A 900 V 13N90 TO-3PN 13N90 TO-3PN 900 V 13A 英文版13N90技术规格书.pdf
8N65/F8N65
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Diodo a recupero rapido 45A 300V MUR4530DCT TO-3PN MUR4530DCT TO-3PN 300 V 45A mur4530dct英文版FRD 45A 300V serie T技术规格书.pdf

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