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MOSFET di potenza DSD040N08N3A TO-252B in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFoduttore e fornitore di MOSFET - WXDH | Pagina 3 ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza F2N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 2 A 600 V F2N60 TO-220F 600 V 2A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H035R.pdf
MOSFET di potenza B5N50 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V B5N50 TO-251B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
MOSFET di potenza MOSFET D5N50 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V D5N50 TO-252B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
18N50/F18N50/18N50D
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Dispositivo DH009N02P Specifiche.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 200 V/11 mΩ/110 A DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 40A 150V MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150 V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 320 A 20 V DH009N02U

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