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Modulo half bridge 400A 650V Modulo IGBT DGD400H65M2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
Modulo half bridge 450A 1200V Modulo IGBT DGD450H120L2T PACCHETTO EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
MOSFET di potenza B8N50 TO-251 in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V B8N50 TO-251 500 V 8A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
Modalità di miglioramento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky da 40 A 100 V MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD80N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 40 A 30 V DHD80N03 TO-252B 30 V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifiche del dispositivo DH135N10P.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 100 V DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specifiche del dispositivo DH850N10D (1).pdf
Diodo a recupero rapido 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 140 A 40 V DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Dispositivo DHP035N04 Specifiche.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/5 A DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Modulo mezzo ponte 450A 1200V Modulo IGBT DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200 V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Dispositivo DH025N03 Specifiche.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 30 V DH025N03P DFN5 * 6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifiche del dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 60A 68V DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf

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