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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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80A 40V N-channel Modalità di miglioramento POTENZA MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D To-252B 40v 80a Dispositivo DH065N04 SPECIFICHE.PDF
SIC Schottky Barrier Diede 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650v 10a Dispositivo DCGT10D65G4 Specification.pdf
120A 60V N-Canale Modalità di potenziamento MODIE MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 To-220c 60V 120a Dispositivo+dh065n06+specifica+rev.2.0.pdf
250A 40V Modalità di miglioramento N-Canale Mosfet DH019N04 TO-220C DH019N04 To-220c 40v 250a Dispositivo DH019N04 SPECIFICHE.PDF
10A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 To-252B 650v 10a Dispositivo DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SIC Schottky Barrier Diodo DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650v 8a Dispositivo DCGT08D65G4 Specification.pdf
SIC Schottky Barrier Dieodo 10A 650V DCE10D65G4 To-263 650v 10a Dispositivo DCE10D65G4 Specification.pdf
33A 60V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet DH240N06LD TO-252B Dh240n06ld To-252B 60V 33a Dispositivo DH240N06L Specifica Rev.2.0.pdf
10A 1200v SIC Schottky Barrier Diode DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116A 68 V MODIEMENTO N-Canale N-Canale Mosfet di potenza DH070N06 To-220c 60V 88a Dispositivo DH070N06 Specifica (2) .pdf
Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 To-220c 40v 180a Dispositivo DHS020N04 SPECIFICHE.PDF
240A 60V Modalità di miglioramento N-Canale Mosfet DHS022N06 TO-220C DHS022N06 To-220c 60V 180a DONGHAI+DHS022N06 e DHS022N06E+Foglio dati+v2.0.pdf
170A 100V Modalità di miglioramento N-channel Mode Mosfet DSE028N3 TO-263 DSE028N10N3 To-263 100V 170a Dsg030n10n3 e dse028n10n3_datasheet_v1.0.pdf
160A 30V Modalità di miglioramento N-channel MODO POTENZA MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P Dfn5x6 30V 160a Dispositivo DH020N03P Specification.pdf
105A 68 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 To-220c 68v 105a DONGHAI+DHS055N07 e DHS055N07E+Foglio dati+V2.0 .pdf
80A 60V N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET DATED063N06N TO-252B DATD063N06N To-252B 60V 80a Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
310A 20 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 To-220c 20V 310a Dispositivo DH009N02 Specification.pdf
100A 85 V Modalità di miglioramento N-channel Potenza Mosfet DH85N08 TO-220C DH85N08 To-220c 85v 100a Dispositivo DH85N08 Specification.pdf
60A 30V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D To-252B 30V 60a Dispositivo DH081N03 Specification.pdf
100A 30 V Modalità di miglioramento N-channel Potenza MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P Dfn5x6 30V 100a Dh012n03p_datasheet_v2.0.pdf

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