18A 500V N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET 18N50 TO-220C

18A 500v N-channel Enhancement Mode Power Mosfet

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● commutazione rapida 

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤0,35Ω) 

● CARICA GATE basso (tip: 52NC) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 16pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100% 

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.