MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50 TO-220C

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson≤0,35Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 52nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 16pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
500 V	0,24Ω	18A