未命名 (1) (8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 18A 500V N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 18N50 TO-220C

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

18A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 18N50 TO-220C

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama
performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
Sormak Sepete Ekle

18A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik 

● Direnç düşük (RDSON0.35Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 52NC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 16pf)

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi


3 Uygulama

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.

VDSS  RDS (ON) （tip) İD 
500V 0.24Ω 18a



Öncesi: 
Sonraki: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology tarafından Leadong.com