Elérhetőség: | |
---|---|
mennyiség: | |
18N50
WXDH
220c
500 V -os
18A
18A 500V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,35Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 52NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (Typ: 16pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 0,24Ω | 18A |
18A 500V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,35Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 52NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (Typ: 16pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 0,24Ω | 18A |