Beschikbaarheid: | |
---|---|
Aantal: | |
18N50
WXDH
TO-220C
500V
18A
18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Power-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD verbeterde mogelijkheden
● Lage weerstand (Rdson≤0.35Ω)
● Lage poortlading (Typ: 52nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 16pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
VDSS | RDS(aan)(TYP) | Identiteitskaart |
500V | 0,24 Ω | 18A |
18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Power-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD verbeterde mogelijkheden
● Lage weerstand (Rdson≤0.35Ω)
● Lage poortlading (Typ: 52nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 16pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
VDSS | RDS(aan)(TYP) | Identiteitskaart |
500V | 0,24 Ω | 18A |