Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MOSFET » 400V-1500V N-MOS » 18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert
en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:

18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Power-MOSFET


1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken 

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤0.35Ω) 

● Lage poortlading (Typ: 52nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 16pF)

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test


3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS  RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart 
500V 0,24 Ω 18A



Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen