มีจำหน่าย: | |
---|---|
จำนวน: | |
18N50
WXDH
TO-220C
500V
18เอ
18A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน
1 คำอธิบาย
vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD
● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤0.35Ω)
● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 52nC)
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 16pF)
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์
วีดีเอสเอส | RDS (เปิด) (ประเภท) | บัตรประจำตัวประชาชน |
500V | 0.24Ω | 18เอ |
18A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน
1 คำอธิบาย
vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD
● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤0.35Ω)
● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 52nC)
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 16pF)
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์
วีดีเอสเอส | RDS (เปิด) (ประเภท) | บัตรประจำตัวประชาชน |
500V | 0.24Ω | 18เอ |