未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 320 A 30 V DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Dispositivo DH012N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Specifiche del dispositivo DHS020N04D.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 320 A 30 V DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Dispositivo DH012N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza B1N60 TO-251 in modalità potenziamento canale N da 0,8 A 600 V B1N60 TO-251B 600 V 0,8 A
-30A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Dispositivo DH300P06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DSD270N12N3 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 35 A 120 V DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Dispositivo+DSD270N12N3+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS055N07E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 105 A 68 V DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Scheda dati+V2.0 .pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 310 A 20 V DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Dispositivo DH009N02 Specifiche.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 30 V DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Dispositivo DH081N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza D4N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Modulo half bridge 600A 650V Modulo IGBT DGD600H65M2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 30 A 30 V DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specifiche del dispositivo DH081N03R.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600 V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHF50N06 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DHF50N06 TO-220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Specifiche.pdf
Modulo half bridge 400A 650V Modulo IGBT DGD400H65M2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
Modulo half bridge 450A 1200V Modulo IGBT DGD450H120L2T PACCHETTO EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
MOSFET di potenza B8N50 TO-251 in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V B8N50 TO-251 500 V 8A

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com