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Serie TRIAC 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600 V/800 V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHDZ24 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET di potenza F740 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 400 V F740 TO-220F 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO127 TO-220M -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO122 TO-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specifiche del dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 100A 650V DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolare a gate isolato 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specifiche del dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf

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