MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V 14N65 TO-220C

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 14 A 650 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (rif. file: E252906). 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson≤0,7Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 32nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 7,0 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
650 V	0,6 Ω	14A