geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 400V-1500V MOS » 14A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 14N65 TO-220C

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

14A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 14N65 TO-220C

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir.
Stok Durumu:
Adet:

14A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uygundur (Dosya ref:E252906). 


2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi 

● Düşük direnç (Rdson≤0,7Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 32nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 7,0pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS  RDS(açık)(TYP) İD 
650V 0,6Ω 14A



Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun