port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 400v-1500v N Mos » 14a 650V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet 14N65 TO-220C

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

14A 650V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET 14N65 TO-220C

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien.
Tilgængelighed:
Mængde:

14A 650V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet


1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien. Der stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F giver isoleringsspænding, der er klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern køleplade. TO-220F-serien overholder UL-standarder (File Ref: E252906). 


2 funktioner 

● Hurtig skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav på modstand (Rdson≤0,7Ω) 

● Lav gateopladning (TYP: 32NC) 

● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 7.0PF)

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strækkontaktkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS  RDS (on) (Typ) Id 
650V 0,6 Ω 14a



Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke