gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 14A 650V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 14N65 TO-220C

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

14A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 14N65 TO-220C

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självjusterade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin.
Tillgänglighet:
Kvantitet:

14A 650V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självjusterade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906). 


2 funktioner 

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤0,7Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 32nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 7,0pF)

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 


3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS  RDS(på)(TYP) ID 
650V 0,6 Ω 14A



Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg