brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 14A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 14N65 TO-220C

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

14A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 14N65 TO-220C

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny.
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 14A 650V N-channel Enhancement Mode


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS. TO-220F poskytuje izolační napětí dimenzované na 2000 V RMS ze všech tří svorek k externímu chladiči. Řada TO-220F vyhovuje normám UL (ref. souboru: E252906). 


2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Vylepšená schopnost ESD 

● Nízký odpor (Rdson≤0,7Ω) 

● Nízké nabití brány (Typ: 32 nC) 

● Nízké zpětné přenosové kapacity (Typ: 7,0 pF)

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 


3 Aplikace 

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.

VDSS  RDS(zapnuto)(TYP) ID 
650V 0,6 Ω 14A



Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky