kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 14A 650V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 14N65 TO-220C

učitavanje

Podijeli na:
facebook gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje na twitteru
gumb za dijeljenje linije
wechat gumb za dijeljenje
linkedin gumb za dijeljenje
pinterest gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje WhatsAppa
podijeli ovaj gumb za dijeljenje

14A 650V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 14N65 TO-220C

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine.
Dostupnost:
Količina:

14A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET


1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. TO-220F osigurava izolacijski napon ocijenjen na 2000 V RMS od sva tri terminala do vanjskog hladnjaka. Serija TO-220F u skladu je s UL standardima (ref. datoteka: E252906). 


2 Značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,7Ω) 

● Nizak naboj vrata (tip: 32 nC) 

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 7,0 pF)

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 Prijave 

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.

VDSS  RDS (uključeno)(TYP) ID 
650V 0,6 Ω 14A



Prethodna: 
Sljedeći: 
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu