未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

Alle producten

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
TRIAC-serie 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126 技规格书.pdf
30A 60V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Apparaat DHZ24B31 Specificatie.pdf
10A 400V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Apparaat 740 Specificatie.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT 技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
14A 650V N-kanaal Enhancement Mode Vermogens-MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65 技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanaal Enhancement Mode Vermogens-MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D 技术规格书.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Apparaat DH8004 Specificatie (2).pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Apparaat DHS052N10 Specificatie.pdf
NPN epitaxiale siliciumtransistor TIP122 TO-220M-pakket TIP127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127 技术规格书.pdf
NPN epitaxiale siliciumtransistor TIP122 TO-220M-pakket TIP122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122 技术规格书.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Apparaat DHS045N88 Specificatie-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V P-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Apparaat DH100P30CB1Q Specificatie.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Gegevensblad_V1.0.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Apparaat DHS045N88 Specificatie-Rev.1.0.pdf
100A 650V Halve brugmodule IGBT-module DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V geïsoleerde poort bipolaire transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Apparaat DHG20T65D Specificatie (TO-220F).pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Apparaat DHS052N10 Specificatie.pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Apparaat DHS052N10 Specificatie.pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com