9A 900V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 9N90B TO-247

9A 900V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken 

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤1.3Ω) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test

3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
900V	0,92 Ω	9A