: | |
---|---|
Wingi: | |
9n90b
Wxdh
9n90b
Kwa-247
900V
9a
9A 900V N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.3Ω)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
900V | 0.92Ω | 9a |
9A 900V N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.3Ω)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
900V | 0.92Ω | 9a |