9A 900V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 9N90B TO-247

9A 900V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer omskiftningsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤1,3Ω) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
900V	0,92Ω	9A