9A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 9N90B TO-247

9A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição

Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD 

● Baixa resistência (Rdson≤1,3Ω) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100%

3 aplicações 

● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
900V	0,92Ω	9A