9A 900V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD ችሎታን አሻሽሏል።
● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤1.3Ω)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።
| ቪዲኤስኤስ |
RDS(በርቷል)(TYP) |
መታወቂያ |
| 900 ቪ |
0.92Ω |
9A |