ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 400V-1500V N MOS » 9A 900V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 9N90B до-247

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

9A 900V N-канальный режим режима Power MOSFET 9N90B до 247

9A 900V N-канальный режим улучшения мощности мощности MOSFET
Доступность:
Количество:

9A 900V N-канальный режим режима мощности Power MOSFET


1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (rdson≤1,3 Ом) 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS


3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.

VDSS  Rds (on) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР 
900 В. 0,92 Ом



Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик