9A 900V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 9N90B TO-247

9A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤1,3Ω) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
900 V	0,92Ω	9A