9A 900V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 9N90B TO-247

Výkonový MOSFET 9A 900V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Vylepšená schopnost ESD 

● Nízký odpor (Rdson≤1,3Ω) 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS

3 Aplikace 

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.

VDSS	RDS(zapnuto)（TYP)	ID
900V	0,92Ω	9A