未命名(1)(8) (1)
ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ
ຮູບແບບ:
ຊຸດ:
V:
A:
ສາຍຜະລິດຕະພັນທີ່ເລືອກ:

ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດ

ຮູບພາບ ແບບ ຊຸດຕົວ V A ສານ ລາຍລະອຽດເອກະ ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ
ຊຸດ TRIAC 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A ອຸປະກອນ DHZ24B31 Specification.pdf
10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A ອຸປະກອນ 740 Specification.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
14A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14 ກ 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງອຸປະກອນ DH8004 (2).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A ອຸປະກອນ DHS052N10 Specification.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M ຊຸດ ເຄັດລັບ 127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M ຊຸດ ເຄັດລັບ 122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A ອຸປະກອນ DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A ອຸປະກອນ DH100P30CB1Q Specification.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A ອຸປະກອນ DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 650V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ IGBT ໂມດູນ DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34ມມ 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V Insulated Gate Transistor Bipolar DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງອຸປະກອນ DHG20T65D(TO-220F).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A ອຸປະກອນ DHS052N10 Specification.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A ອຸປະກອນ DHS052N10 Specification.pdf

ວິດີໂອຜະລິດຕະພັນ

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງໄປຫາ inbox ຂອງທ່ານ
    ສົ່ງ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd ເຕັກໂນໂລຊີໂດຍ leadong.com