未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
TRIAC série 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
10A 400V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Specifikace zařízení 740.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
14A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Specifikace zařízení DH8004 (2).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
NPN Epitaxní silikonový tranzistor TIP122 TO-220M Balíček TIP127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
NPN Epitaxní silikonový tranzistor TIP122 TO-220M Balíček TIP122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V s izolovanou bránou bipolární tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Specifikace zařízení DHG20T65D(TO-220F).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com