未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
400A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD400H65M2T PAKIET EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD450H120L2T PAKIET EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8A
50A 120 V tryb wzmocnienia kanału N moc MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50A Specyfikacja urządzenia DH150N12.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A Pobierz MBR40100CT 技术规格书REV1.0.pdf
40A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DH135N10P.pdf
12A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specyfikacja urządzenia DH850N10D (1).pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Specyfikacja urządzenia DHP035N04.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A Plik MUR6030DCS 技术规格书.pdf
Półmostek 500 V/5 A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
450A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62mm 1200 V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Specyfikacja urządzenia DH025N03.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
120A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specyfikacja urządzenia DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com