18A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 18N50D TO-3PN

18 A 500 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,35Ω) 

● Niedrige Gate-Ladung (Typ: 52 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 16 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Stromfluss zwischen Netz und Batterie. Hier sind schnell schaltende FRDs von entscheidender Bedeutung, um Verluste zu minimieren und regenerativdigkeit 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
500V	0,24 Ω	18A