18A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (RDSON0.35Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 52NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 16pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
~!phoenix_var90!~
● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.
VDSS |
RDS (ON) (tip) |
İD |
500V |
0.24Ω |
18a |