18 ա 500V N-ալիքի բարելավման ռեժիմը Power Mosfet 18N50D-3PN

18 ա 500V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին: 

2 առանձնահատկություններ 

● արագ անցում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Resistance (RDSON≤0.35ω) 

● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք: 52NC) 

● Հակադարձ փոխակերպման ցածր հզորություններ (տպագիր, 16PF)

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ 

● 100% δvds թեստ

3 դիմում

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում: