Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 18A 500V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET 18N50D TO-3PN

18A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 18N50D TO-3PN

Jaga:

18A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 18N50D TO-3PN

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust
ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

Saadavus:

Kogus:



Küsi järele Lisa ostukorvi

Mudel:
18N50D
Kaubamärk:
WXDH
Pakett:
TO-3PN
Andmeleht:
英文版18N50D技术规格书.pdf
V:
500V
V:
18A

Toote kirjeldus

18A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤0,35Ω)

● Värava madal laetus (tüüp: 52nC)

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 16pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
500V	0,24Ω	18A

Eelmine:

Järgmine:

MOSFET