ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
18N50D
wxdh
to-3pn
500V
18A
18A 500V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.35Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 52NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 16pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
500V | 0.24Ω | 18A |
18A 500V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.35Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 52NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 16pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
500V | 0.24Ω | 18A |