Доступность: | |
---|---|
количество: | |
18n50d
WXDH
До 3pn
500 В.
18а
18A 500V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,35 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 52NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 16pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,24 Ом | 18а |
18A 500V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,35 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 52NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 16pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,24 Ом | 18а |