ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

завантаження

Поділитися з:
кнопка спільного доступу до Facebook
кнопка спільного доступу до Twitter
кнопка спільного доступу до лінії
кнопка спільного доступу до wechat
кнопка спільного доступу в Linkedin
кнопка спільного доступу на pinterest
кнопка спільного доступу до WhatsApp
поділитися цією кнопкою спільного доступу

F8N70

8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Наявність:
Кількість:

8A 700V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує

втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Низький опір (Rdson≤1,15Ω)

● Низький заряд затвора (тип: 27nC)

● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 4,7 пФ)

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.


VDSS RDS (увімкнено) (TYP) ID
700В 0,96 Ом 8A


Попередній: 
далі: 
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку