F8n70

8A 700V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa kisel N-kanal förbättrade VDMoSfets erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar

Ledningsförlust, förbättra växlingsprestanda och förbättra lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner

● Snabbbrytning

● Låg motstånd (RDSON≤1,15Ω)

● Låg grindavgift (typ: 27nc)

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 4.7pf)

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

● Strömbrytare för adapter och laddare.