F8N70

8A 700V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته کانال N- کانال سیلیکون ، توسط فناوری مسطح خود با هم تراز شده که کاهش می یابد به دست می آید

از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.

2 ویژگی

● سوئیچینگ سریع

● کم مقاومت (Rdson≤1.15Ω)

legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 27NC)

alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 4.7pf)

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک

● 100 ٪ تست ΔVDS

3 برنامه

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.

circuit مدار سوئیچ برق آداپتور و شارژر.