F8N70

8A 700 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te silikonowe VDMOSFETS Ulepszone kanały N, są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza

Utrata przewodnictwa, poprawianie wydajności przełączania i zwiększ energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Niskie oporność (RDSON ≤1,15 Ω)

● Niski ładunek bramki (Typ: 27NC)

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 4,7pf)

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS

3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód przełącznika zasilania adaptera i ładowarki.