F8N70

8a 700V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse silisium-N-kanals forbedrede VDMOSFET-ene er oppnådd ved den selvjusterte plane teknologien som reduserer

Ledningstap, forbedre bytteytelsen og forbedre snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden.

2 funksjoner

● Rask bytte

● Lav på motstand (Rdson≤1,15Ω)

● Lav portladning (TYP: 27NC)

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 4.7pf)

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS -test

3 søknader

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for adapter og lader.