Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
8A 700V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te silicijeve N-kanale, okrepljene VDMOSFET-je, dobimo s samovredno ravninsko tehnologijo, ki zmanjšuje
Izguba prevodnosti, izboljšanje zmogljivosti preklopa in izboljšanje energije plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● Nizko odpornost (rdson≤1,15Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 27NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 4.7pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo Adapterja in polnilnika.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
700V | 0,96Ω | 8a |
8A 700V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te silicijeve N-kanale, okrepljene VDMOSFET-je, dobimo s samovredno ravninsko tehnologijo, ki zmanjšuje
Izguba prevodnosti, izboljšanje zmogljivosti preklopa in izboljšanje energije plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● Nizko odpornost (rdson≤1,15Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 27NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 4.7pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo Adapterja in polnilnika.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
700V | 0,96Ω | 8a |