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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf
F20N65
Diodo de barrera Schottky 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT A-3PN 200V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
Diodo de recuperación rápida 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT A-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf
100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N A-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC40H120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V DGC40H120M2 A-247 1200V 40A DGC40H120M2 - hoja de datos.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Especificación del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 200V BAJA VF MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT A-220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PEAJE DSU035N10N3A PEAJE 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 40V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Especificación del dispositivo DH065N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 80V DH075N08 TO-220C DH075N08 A-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 68V DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
Diodo de recuperación rápida 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT A-220C 400V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N06 A-220C 60V 88A Especificación del dispositivo DH070N06(2).pdf

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