puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
Líneas de productos seleccionadas:

Todos los productos

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
10a 600V Diodo de recuperación rápida MURF1060 a 220-2L Murf1060 TO20F-2L 600V 10A 英文版 MURF1060CT 技术规格书 .pdf
300A 100V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DSU021N10NA Paquete de peaje DSU021N10NA PEAJE 100V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B A 251b 68V 100A Dispositivo DH060N07D Especificación.PDF
60A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH50N06 TO-220C Dh50n06 A 220c 68V 60A Dispositivo DH50N06FZC Especificación.PDF
NPN Transistor de silicio epitaxial 2SD882 a 126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
60A 300V Recuperación rápida Diodo MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS A 3pn 300V 60A 英文版 Mur6030ncs 技术规格书 .pdf
10a 45V Diodo de barrera Schottky MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT A 220F 45V 10A SERIE MBR1045CT 技术规格书 .pdf
110A 85V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 A 220c 85V 110A Dispositivo DHS055N85 Especificación.PDF
Peaje N-Mosfet de 100V/2MΩ/281A DSU023N10N3 PEAJE 100V 281a Dsu023n10n3_dataSteet_v1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida de 10a 700V MUR1070 a 220-2L MUR1070 A 220-2L 700V 10A 英文版 Mur1070 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal de 4 40V de 40V MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P Dfn5x6 40V 100A Donghai DHS021N04P Data hoja de datos v3.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT A 3pn 600V 40A 英文版 MUR40FU60DCT 技术规格书 .pdf
19a 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH300N08D TO 252B DH300N08D A 252b 80V 19A Dispositivo DH300N08 Especificación.PDF
61A 60V Modo de mejora del canal MOSFET DH16N06 a 220C DH16N06 A 220c 60V 61a Dispositivo DH16N06 Especificación.PDF
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 A 220c 85V 100A Dispositivo DHS065N85 Especificación.PDF
4A 650V N-canal Modo de mejora MOSFET B4N65 a 251 B4N65 A 251 650V 4A 英文版 b4n65x 技术规格书 x (1) .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 100A 30V DHD100N03 a 252B DHD100N03 A 252b 30V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Especificación.PDF
7A 700V Modo de mejora del canal MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 A 220F 700V 7A 英文版 f7n70 技术规格书 .pdf
120A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C y TO-263 DSG047N08N3 A 220c 80V 120a DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATAYATE_V1.0.PDF
210A 60V N-canal Modo de mejora MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 A 220c 60V 180A Dispositivo N6005B40 Especificación.PDF

Video de productos

  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada