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2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
MOSFET de potencia 20N50B TO-247 del modo de mejora del canal N de 20A 500V 20N50B A-247 500V 20A Especificación del dispositivo 20N50(1).pdf
12N60/F12N60/E12N60
MOSFET F18N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 18A 650V F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 155A 40V DH035N04 TO-220C DH035N04 A-220C 40V 155A Especificación del dispositivo DH035N04.pdf
REGULADORES DE TENSION POSITIVA 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 40mΩ y 650V DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF04019a1323942b577be=DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Dispositivo DHDSJ7N65 y DHBSJ7N65 Especificación.doc.pdf
MOSFET F10N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 650V F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 300V MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT A-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Especificación del di9512fe70a7b7=MBR20200CT
Diodo de barrera Schottky 20A 200V BAJA VF MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT A-220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 40V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Especificación del dispositivo DH065N04.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 110A 60V DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo de b0V MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 20A 100V DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 100 V DHS065N10 A-220C 100V 95A Dispositivo+DHS065N10+Especificación+Rev.2.0.pdf

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