MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88E TO-263

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 175 A y 80 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS 

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● herramientas eléctricas

● SAI 

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN	Paquete
80V	3,6 mΩ	175A	TO-220C
80V	3,3 mΩ	175A	A-263