175A 80V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skifte
● Lav modstand
● Lav portladning
● Høj lavinestrøm
● Lave omvendte overførselskapacitanser
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Synkron ensretning i SMPS
● Hard switching og højhastighedskredsløb
● Elværktøj
● UPS
● Motorstyring
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
Pakke |
| 80V |
3,6 mΩ |
175A |
TIL-220C |
| 80V |
3,3 mΩ |
175A |
TO-263 |