175A 80V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS035N88E TO-263

175A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας 

● Ηλεκτρικά εργαλεία

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα	Πακέτο
80V	3,6 mΩ	175Α	ΕΩΣ-220C
80V	3,3 mΩ	175Α	ΤΟ-263