ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ- အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 12V-300V N MOS » 175A 80V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET DHS035N88E TO-263

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုကို မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

175A 80V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET DHS035N88E TO-263

175A 80V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-

175A 80V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET


1 ဖော်ပြချက်


ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 


အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်။

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● မြင့်မားသောနှင်းလျှောစီးမှု

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 


3 လျှောက်လွှာများ 

● SMPS တွင် ထပ်တူကျအောင် ပြုပြင်ခြင်း။ 

● Hard switching နှင့် high speed circuit များ 

● ပါဝါကိရိယာများ

● UPS 

● မော်တာထိန်းချုပ်မှု

VDSS RDS(ဖွင့်)(TYP) အမှတ်သညာ အထုပ်
80V 3.6mΩ 175A TO-220C
80V 3.3mΩ 175A TO-263


ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်