175A 80V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS035N88E TO-263

175A 80V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate kraavitehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal takistus

● Värava madal laeng 

● Suur laviinivool

● Madal pöördülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● Sünkroonalaldus SMPS-is 

● Tugev lülitus ja kiire vooluahel 

● Elektrilised tööriistad

● UPS 

● Mootori juhtimine

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID	pakett
80V	3,6 mΩ	175A	KUNI -220C
80V	3,3 mΩ	175A	TO-263