175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88E TO-263

175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

У цих потужних МОП-транзісторах N-канального режиму покращення використовувалася передова конструкція технології розділеного затвора, яка забезпечувала чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості

● Швидке перемикання 

● Низький опір

● Низький заряд затвора 

● Високий лавинний струм

● Низькі ємності зворотного перенесення

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

3 Додатки 

● Синхронне випрямлення в SMPS 

● Жорстке перемикання та високошвидкісна схема 

● Електроінструменти

● ДБЖ 

● Керування двигуном

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID	Пакет
80В	3,6 мОм	175А	ТО-220С
80В	3,3 мОм	175А	ТО-263