MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 40 V
1 Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Alta corriente de avalancha
● Baja resistencia (Rdson≤3.5mΩ)
● Carga de puerta baja (tipo: 121 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 640 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Convertidores CC-CC
● Fuente de alimentación
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 40V |
2,3 mΩ |
140A |