MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 140 A 40 V
1 Descrizione
Questi vdmosfet potenziati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Corrente da valanga elevata
● Bassa resistenza (Rdson ≤ 3,5 mΩ)
● Bassa carica di gate (tip.: 121nC)
● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 640pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Convertitori CC-CC
● Alimentazione
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 40 V |
2,3 mΩ |
140A |