140A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Yüksek çığ Akıntısı
● Düşük direnç (Rdson≤3,5mΩ)
● Düşük geçit şarjı (Tip: 121nC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 640pF)
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● DC-DC dönüştürücüler
● Güç kaynağı
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 40V |
2,3mΩ |
140A |