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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 140A 40V DHP035N04 DFN5X6-8L

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 140 A 40 V


1 Descriptif


Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Fort courant d'avalanche

● Faible résistance (Rdson≤3,5 mΩ) 

● Faible charge de grille (type : 121 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 640 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures

● Convertisseurs DC-DC 

● Alimentation


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
40V 2,3 mΩ 140A


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