դարպաս
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

բեռնում

Կիսվել՝
Ֆեյսբուքի փոխանակման կոճակը
Twitter-ի համօգտագործման կոճակը
տողերի փոխանակման կոճակ
wechat-ի փոխանակման կոճակը
linkedin-ի համօգտագործման կոճակը
pinterest-ի համօգտագործման կոճակը
whatsapp-ի համօգտագործման կոճակը
կիսել այս համօգտագործման կոճակը

140A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfet-ներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
Առկայություն՝
Քանակ:

140A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Նկարագրություն


Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfet-ներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 


2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● Բարձր ավալանշ հոսանք

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤3,5mΩ) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 121nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 640 pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 


3 Դիմումներ

● DC-DC կերպափոխիչներ 

● Էներգամատակարարում


VDSS RDS(միացված)(TYP) ID
40 Վ 2,3 mΩ 140 Ա


Նախորդը: 
Հաջորդը: 
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • պատրաստվեք ապագայի համար,
    գրանցվեք մեր տեղեկագրում՝ թարմացումներ անմիջապես ձեր մուտքի արկղում ստանալու համար